Biblioteca IFD Melo "Dr. Emilio Oribe"
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/ Campbell L. Searle
TÃtulo : | Propiedades de circuito elementales de los transistores T.3 | Tipo de documento: | texto impreso | Autores: | Campbell L. Searle, Autor ; A. R. Boothroyd, Autor ; E. J. Angelo Jr., Autor ; et all., Autor | Editorial: | Barcelona [España] : Reverté | Fecha de publicación: | 1978 | Número de páginas: | 304 p | ISBN/ISSN/DL: | 978-84-291-3440-7 | Idioma : | Español (spa) | Palabras clave: | FISICA CIRCUITOS.ELECTRICOS TRANSISTORES | Clasificación: | 537 SEAp T.3 | Resumen: | El desarrollo de los circuitos electrónicos en miniatura ha hecho desaparecer la lÃnea divisoria entre el "dispositivo" y el "circuito", por lo que debemos comprender la relación entre la fÃsica interna y la estructura de un dispositivo y sus posibilidades en el funcionamiento del circuito. | Nota de contenido: | Índice: 1. Electrónica física del transistor y modelos de circuito. 2. Modelos de circuito correspondientes a las características Volt-Ampere del transistor. 3. Determinación de los parámetros y propiedades de circuito del modelo híbrido. 4. Dependencia entre los parámetros del modelo para señales débiles y las condiciones de funcionamiento. 5. Circuitos de polarización del transistor: análisis y diseño. 6. Cálculo de la respuesta en función de la frecuencia y de la respuesta a la variación en escalón. 7. Configuración en base común y en colector común: modelos y propiedades. 8. Amplificadores sintonizados. 9. Comportamiento dinámico del transistor como conmutador. Índice. |
Propiedades de circuito elementales de los transistores T.3 [texto impreso] / Campbell L. Searle, Autor ; A. R. Boothroyd, Autor ; E. J. Angelo Jr., Autor ; et all., Autor . - Barcelona (España) : Reverté, 1978 . - 304 p. ISBN : 978-84-291-3440-7 Idioma : Español ( spa) Palabras clave: | FISICA CIRCUITOS.ELECTRICOS TRANSISTORES | Clasificación: | 537 SEAp T.3 | Resumen: | El desarrollo de los circuitos electrónicos en miniatura ha hecho desaparecer la lÃnea divisoria entre el "dispositivo" y el "circuito", por lo que debemos comprender la relación entre la fÃsica interna y la estructura de un dispositivo y sus posibilidades en el funcionamiento del circuito. | Nota de contenido: | Índice: 1. Electrónica física del transistor y modelos de circuito. 2. Modelos de circuito correspondientes a las características Volt-Ampere del transistor. 3. Determinación de los parámetros y propiedades de circuito del modelo híbrido. 4. Dependencia entre los parámetros del modelo para señales débiles y las condiciones de funcionamiento. 5. Circuitos de polarización del transistor: análisis y diseño. 6. Cálculo de la respuesta en función de la frecuencia y de la respuesta a la variación en escalón. 7. Configuración en base común y en colector común: modelos y propiedades. 8. Amplificadores sintonizados. 9. Comportamiento dinámico del transistor como conmutador. Índice. |
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A04010 | 537 SEAp T.3 | Libro de estudio en soporte papel | Biblioteca IFD Melo | Colección General | Disponible |